PHK31NQ03LT,518
1个N沟道 耐压:30V 电流:30.4A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHK31NQ03LT,518
- 商品编号
- C5708891
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.235nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关模式电源
- 笔记本电脑
- 电压调节器