PHK31NQ03LT,518
1个N沟道 耐压:30V 电流:30.4A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHK31NQ03LT,518
- 商品编号
- C5708891
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.235nF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为4.3A时，导通电阻RDS(ON)<42mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为3.9A时，导通电阻RDS(ON)<51mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用和固态继电器设计
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）