NTE25
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V |
商品概述
NTE24（NPN）和 NTE25（PNP）是采用 TO237 封装的互补硅晶体管，专为需要集电极电流达 1A 的通用中功率放大器和开关电路而设计。
商品特性
- 高集电极 - 发射极击穿电压：VCEO = 80V
- 出色的功率耗散能力
- 集电极 - 基极电压 VCBO ≥ 100V
- 集电极 - 发射极电压 VCEO ≥ 80V
- 发射极 - 基极电压 VEBO = 5V
- 集电极电流 IC：连续 1A，峰值 2A
- 功率耗散 PD：TA = +25°C 时为 850mW；TC = +25°C 时为 2W
- 结温 TJ(max) = +150°C
- 存储温度范围 TStg：-55°C ~ +150°C
- 热阻，结到外壳 RthJC = 50°C/W
- 热阻，结到环境 RthJA = 167°C/W