- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE389
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 750V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 特征频率(fT) | 4MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 5V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
NTE389是一款采用TO3型封装的高压硅NPN功率晶体管，专为CRT水平偏转电路设计。
商品特性
- 集电极 - 发射极电压：VCEX = 1500V
- 玻璃钝化基极 - 集电极结
- 正向偏置安全工作区@50μs = 20A，300V
- 感性负载下的开关时间：tf = 0.5μs（典型值），IC = 3A