NTE2933
1个N沟道 耐压:400V 电流:8A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2933
- 商品编号
- C5702157
- 商品封装
- TO-3PML
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改进的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的 RDS(导通电阻):典型值 0.437
- 更低的漏电流:在 VDS = 400 V 时,最大 10 A
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