NTE2935
1个N沟道 耐压:500V 电流:6.2A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2935
- 商品编号
- C5702159
- 商品封装
- TO-3PML
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NP74N04YUG是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 5.5 mΩ（栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 37.5 A）
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 3620 pF（漏源电压VDS = 25 V，栅源电压VGS = 0 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC - Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装