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IXTH4N150

IXTH4N150

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商品型号
IXTH4N150
商品编号
C5658264
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)4A
耗散功率(Pd)280W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)44.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.576nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-高压电源-电容放电应用-脉冲电路

数据手册PDF