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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP05N100

IXTP05N100

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商品型号
IXTP05N100
商品编号
C5658298
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

650 V CoolSiC™ 基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料特性,650 V CoolSiC™ MOSFET 集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况,可实现最高系统效率的简易且经济高效的部署。

商品特性

  • 大电流下开关特性优化
  • 换向稳健的快速体二极管,Qf 低
  • 出色的栅极氧化层可靠性
  • 最高结温 Tj, max = 175°C,热特性优异
  • RDS(on) 和脉冲电流的温度依赖性更低
  • 雪崩能力增强
  • 与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0V - 18V)
  • 开尔文源极可将开关损耗降低多达 4 倍

应用领域

  • 电信和服务器开关电源
  • 不间断电源 (UPS)
  • 太阳能光伏逆变器
  • 电动汽车充电基础设施
  • 储能和电池化成
  • D 类放大器

数据手册PDF