IPB65R190CFD7AATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R190CFD7AATMA1
- 商品编号
- C5657282
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 479pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
该系列低电荷功率MOSFET的栅极电荷明显低于传统功率MOSFET。采用新型LCDMOS（低电荷器件功率MOSFET）技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中可降低开关损耗，提高效率。使用这种新型低电荷功率MOSFET，在大电流下实现几MHz的频率是可行的。 这些器件的改进，结合功率MOSFET固有的耐用性和可靠性，为设计人员提供了一种适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
- 市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级技术,具有超低反向恢复电荷(Qrr)
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- 在贴片(SMD)和通孔(THD)封装中拥有同类最佳的导通电阻 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器