IPL65R650C6SE8211ATMA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPL65R650C6SE8211ATMA1
商品编号: C5657369
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOSTM 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOSTM C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新成果。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层,无卤模塑料
符合 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用标准

应用领域

例如 PC 电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和 UPS 等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	4.2A
	导通电阻(RDS(on))	590mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	56.8W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	21nC
	输入电容(Ciss)	440pF
	工作温度	-40℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	30pF
	栅极电压(Vgs)	±20V