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IPL65R650C6SE8211ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPL65R650C6SE8211ATMA1

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商品型号
IPL65R650C6SE8211ATMA1
商品编号
C5657369
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4.2A
属性参数值
耗散功率(Pd)56.8W
阈值电压(Vgs(th))3V

商品概述

CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新成果。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 例如 PC 电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和 UPS 等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。

数据手册PDF