温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD85P04P4L06ATMA2
1个P沟道 耐压:40V 电流:85A
- 描述
- 特性：P沟道逻辑电平增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 环保封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD85P04P4L06ATMA2
- 商品编号
- C5657343
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V,85A | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.58nF@32V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@32V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用了芯茂微（Slkor）先进的超结MOSFET技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 11A、650V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值 = 0.318Ω
- 低栅极电荷（典型值15.5nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力