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IMBG65R022M1HXTMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:64A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R022M1HXTMA1
- 商品编号
- C5657234
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.288nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 大电流下开关特性优化
- 换向稳健的快速体二极管,Qf 低
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温 Tj, max = 175°C,热特性优异
- RDS(on) 和脉冲电流的温度依赖性更低
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0V - 18V)
- 开尔文源极可将开关损耗降低多达 4 倍
应用领域
- 电信和服务器开关电源
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能和电池化成
- D 类放大器