GS81282Z36GD-200IV

GS81282Z18/36是一款144兆位同步静态SRAM。该NBT SRAM与ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或直通读/单延迟写SRAM类似，通过消除在设备从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期的需求，允许充分利用所有可用的总线带宽。 作为同步设备，其地址、数据输入以及读/写控制输入均在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以确保正常工作。异步输入包括休眠模式使能（ZZ）和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，随时关闭RAM的输出驱动器。 写周期是内部自定时的，并由时钟输入的上升沿启动。此特性消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。 GS81282Z18/36可由用户配置为在流水线或直通模式下运行。作为流水线同步设备运行时，除了用于捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM的输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储，然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。 该器件采用高性能CMOS技术实现，并提供符合JEDEC标准的119凸点或165凸点BGA封装。

• NBT（无总线转向）功能允许零等待的读-写-读总线利用率；与流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM完全引脚兼容
• 1.8V或2.5V（±10%）核心电源
• 1.8V或2.5V I/O电源
• 用户可配置的流水线和直通模式
• ZQ模式引脚用于用户可选择高/低输出驱动
• 符合IEEE 1149.1标准的JTAG兼容边界扫描
• LBO引脚用于线性或交错突发模式
• 与4Mb、9Mb、18Mb、36Mb和72Mb器件引脚兼容
• 字节写操作（9位字节）
• 3个片选信号，便于深度扩展
• ZZ引脚用于自动掉电
• 符合RoHS标准的119凸点和165凸点BGA封装