GS8321Z36AGD-250IV

品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS8321Z36AGD-250IV
商品编号: C5648147
商品封装: FPBGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

GS8321Z18/32/36AD-xxxV是一款36Mbit同步静态SRAM。NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或直通读/单延迟写SRAM，通过消除在从读周期切换到写周期时插入取消选择周期的需求，允许利用所有可用总线带宽。由于它是同步器件，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能、ZZ和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时，并由时钟输入的上升沿启动。此特性消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS8321Z18/32/36AD-xxxV可由用户配置为在流水线或直通模式下操作。作为流水线同步器件操作，除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该器件还包含一个上升沿触发输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储，然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。GS8321Z18/32/36AD-xxxV采用高性能CMOS技术实现，并提供JEDEC标准165凸点FP-BGA封装。

商品特性

用户可配置的流水线和直通模式
NBT（无总线转向）功能实现零等待读写读总线利用率
完全引脚兼容流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM
IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描
1.8V或2.5V核心电源供应
1.8V或2.5V I/O电源供应
LBO引脚用于线性或交错突发模式
引脚兼容2Mb、4Mb、8Mb和18Mb器件
字节写操作（9位字节）
3个芯片使能信号，便于深度扩展
ZZ引脚用于自动掉电
JEDEC标准165凸点BGA封装
提供符合RoHS的165凸点BGA封装

数据手册PDF

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