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GS81314LD37GK-933I引脚图
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GS81314LD37GK-933I

GS81314LD37GK-933I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS81314LD37GK-933I
商品编号
C5648119
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型-
存储容量144Mbit
工作电压1.25V~1.35V
读写时间-
属性参数值
工作温度-
工作电流-
待机电流-
功能特性内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

SigmaQuad - IVe ECCRAMs是高性能ECCRAMs的SigmaQuad - IVe/SigmaDDR - IVe系列中独立I/O的一半。尽管与GSI的第三代网络SRAMs(SigmaQuad - IIIe/SigmaDDR - IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAMs实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由SER事件(如宇宙射线、阿尔法粒子等)引起的错误。这些设备的软错误率预计<0.002 FITs/Mb,与没有片上ECC的同类SRAMs(通常SER为200 FITs/Mb或更高)相比,有5个数量级的改进。所有引用的SER值均是在纽约市海平面条件下。

商品特性

  • 4Mb x 36 和 8Mb x 18 组织可用
  • 组织为单个逻辑存储体
  • 最大工作频率 933 MHz
  • 峰值事务率 933 MT/s(每秒百万次)
  • 峰值数据带宽 134 Gb/s(在 x36 设备中)
  • 独立的 I/O DDR 数据总线
  • 非多路复用的 SDR 地址总线
  • 每个时钟周期一个操作 - 读或写
  • 读和写操作无地址/存储体限制
  • 4次读和写操作的突发
  • 5周期读延迟
  • 片上 ECC,软错误率几乎为零
  • 环回信号时序训练能力
  • 标称核心电压 1.25V ~ 1.3V
  • HSTL I/O 接口电压 1.2V ~ 1.3V
  • 配置寄存器
  • 可配置的片上终端(ODT)
  • 用于可编程驱动阻抗的 ZQ 引脚
  • 用于可编程 ODT 阻抗的 ZT 引脚
  • 符合 IEEE 1149.1 JTAG 的边界扫描
  • 260引脚,14mm × 22mm,1mm 球间距,6/6 符合 RoHS 的 BGA 封装

数据手册PDF