GS81314LD37GK-933I
GS81314LD37GK-933I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81314LD37GK-933I
- 商品编号
- C5648119
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 144Mbit | |
| 工作电压 | 1.25V~1.35V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad - IVe ECCRAMs是高性能ECCRAMs的SigmaQuad - IVe/SigmaDDR - IVe系列中独立I/O的一半。尽管与GSI的第三代网络SRAMs(SigmaQuad - IIIe/SigmaDDR - IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAMs实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由SER事件(如宇宙射线、阿尔法粒子等)引起的错误。这些设备的软错误率预计<0.002 FITs/Mb,与没有片上ECC的同类SRAMs(通常SER为200 FITs/Mb或更高)相比,有5个数量级的改进。所有引用的SER值均是在纽约市海平面条件下。
商品特性
- 4Mb x 36 和 8Mb x 18 组织可用
- 组织为单个逻辑存储体
- 最大工作频率 933 MHz
- 峰值事务率 933 MT/s(每秒百万次)
- 峰值数据带宽 134 Gb/s(在 x36 设备中)
- 独立的 I/O DDR 数据总线
- 非多路复用的 SDR 地址总线
- 每个时钟周期一个操作 - 读或写
- 读和写操作无地址/存储体限制
- 4次读和写操作的突发
- 5周期读延迟
- 片上 ECC,软错误率几乎为零
- 环回信号时序训练能力
- 标称核心电压 1.25V ~ 1.3V
- HSTL I/O 接口电压 1.2V ~ 1.3V
- 配置寄存器
- 可配置的片上终端(ODT)
- 用于可编程驱动阻抗的 ZQ 引脚
- 用于可编程 ODT 阻抗的 ZT 引脚
- 符合 IEEE 1149.1 JTAG 的边界扫描
- 260引脚,14mm × 22mm,1mm 球间距,6/6 符合 RoHS 的 BGA 封装
- GS816236DGD-250I
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