GS81313LQ18GK-800I
GS81313LQ18GK-800I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81313LQ18GK-800I
- 商品编号
- C5648117
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad-IIIe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe中独立I/O的一半。虽然与GSI第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由SER事件(如宇宙射线、α粒子等)引起的错误。这些设备的软错误率预计<0.002 FITs/Mb,与没有片上ECC的同类SRAM相比,有5个数量级的改善,后者的SER通常为200 FITs/Mb或更高。所有引用的SER值均为纽约市海平面的值。
商品特性
- 提供4Mb x 36和8Mb x 18的组织结构
- 操作频率800 MHz
- 事务率1.6 BT/s(每秒十亿次)
- 数据带宽115 Gb/s(在x36设备中)
- 独立的I/O DDR数据总线
- 非多路复用的DDR地址总线
- 每个时钟周期两个操作 - 读取和写入
- 突发长度为2的读取和写入操作
- 3周期读取延迟
- 片上ECC,软错误率几乎为零
- 核心电压1.25V ~ 1.3V
- HSTL I/O接口电压1.2V ~ 1.3V
- 可配置的ODT(片上终端)
- ZQ引脚用于可编程驱动器阻抗
- ZT引脚用于可编程ODT阻抗
- 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
- 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6符合RoHS的BGA封装
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