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F10N60L
耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型 VDMOSFET 采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。它们符合 RoHS 标准。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F10N60L
- 商品编号
- C5632441
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.639克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.643nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 143pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 5A条件下,RDS(ON) < 1.0 Ω
- 具备快速开关能力
- 经过100%雪崩测试
- 经过100% △Vds测试
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等