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F5N50L
耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- F5N50L是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F5N50L
- 商品编号
- C5632446
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.641克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了芯科（Slkor）先进的超结MOSFET技术制造。这项先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。
商品特性
- 15A、650V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值 = 0.28Ω
- 低栅极电荷（典型值19.6nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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