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F13N50L
耐压:500V 电流:13A
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- 描述
- 这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术，降低了传导损耗，改善了开关性能，并提高了雪崩能量。符合RoHS标准。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F13N50L
- 商品编号
- C5632447
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.649克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.014nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
F12N60L是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 6.5A条件下,RDS(ON) < 0.48 Ω
- 快速开关能力
- 100%经过雪崩测试
- 100%经过△Vds测试
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