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F4N60L
耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- F4N60L 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F4N60L
- 商品编号
- C5632444
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
F4N60L是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 2.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 2.5 Ω
- 快速开关能力
- 100%雪崩测试
- 100%漏源电压变化（△VDS）测试