STB15810
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB15810商品编号
C620154商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
2.132167克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,55A | |
耗散功率(Pd) | 250W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 8.115nF@50V | |
反向传输电容(Crss) | 67pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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