AOB254L
1个N沟道 耐压:150V 电流:32A 电流:4.2A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB254L
- 商品编号
- C5563901
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
适用于790 MHz至960 MHz频率范围基站应用的270 W LDMOS功率晶体管,具备改进的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(790 MHz至960 MHz)
- 更低的输出电容,可提升Doherty应用中的性能
- 去耦引脚可改善视频带宽(典型值55 MHz)
- 低记忆效应设计,具备出色的预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
- 鸥翼型和直引脚版本均进行了优化设计
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于790 MHz至960 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器
