BUK7S1R2-40HJ

采用最新沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，具备高性能和高可靠性。

• 完全符合并超越AEC-Q101汽车级标准
• -55 °C至+175 °C的额定温度范围，适用于对散热要求较高的环境
• LFPAK88封装：
  • 相比D²PAK等旧款引线键合封装，设计上占用更小的电路板空间，提高了功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用
  • 薄型封装和铜夹设计使LFPAK88具有高效的散热性能
• LFPAK铜夹技术相比引线键合封装具有以下优势：
  • 提高了最大电流承载能力和出色的电流分布能力
  • 改善了漏源导通电阻
  • 低源极电感
  • 低热阻Rth
• LFPAK鸥翼引脚：
  • 引脚具有柔韧性，能够吸收机械和热循环应力，相比传统QFN封装，提高了电路板级可靠性
  • 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
  • 易于实现良好的机械焊接连接
• 独特的40 V沟槽9超结技术：
  • 减小的单元间距和超结平台在相同封装尺寸下实现了更低的漏源导通电阻
  • 与标准沟槽MOS相比，改善了安全工作区和雪崩能力
  • 严格的栅源阈值电压范围便于MOSFET并联使用

• 12 V汽车系统
• 48 V DC/DC系统（12 V次级侧）
• 高功率电机、灯具和电磁阀控制
• 反极性保护
• LED照明
• 超高性能功率开关