BUK7S1R2-40HJ

采用最新沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，具备高性能和高可靠性。

• 完全符合并超越AEC - Q101汽车级标准
• 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C,适用于对散热要求高的环境
• LFPAK88封装:
  • 相比D2PAK等旧的引线键合封装,设计更节省空间,提高了功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
  • 薄型封装和铜夹片使LFPAK88具有高效的散热性能
• LFPAK铜夹片技术相比引线键合封装的优势:
  • 提高了最大电流承载能力和出色的电流分布能力
  • 改善了导通电阻RD Son
  • 低源极电感
  • 低热阻Rth
• LFPAK鸥翼式引脚:
  • 引脚具有柔韧性,可吸收机械和热循环应力,提高了板级可靠性,与传统QFN封装不同
  • 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
  • 易于焊接润湿,形成良好的机械焊点
• 独特的40 V Trench 9超结技术:
  • 减小了单元间距和超结平台,在相同尺寸下降低了导通电阻R\textDSon
  • 与标准TrenchMOS相比,改善了安全工作区和雪崩能力
  • 紧密的VGS(th)限制使MOSFET易于并联

• 12 V汽车系统
• 48 V DC/DC系统(12 V次级侧)
• 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
• 反极性保护
• LED照明
• 超高性能功率开关