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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@6V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 592pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器