商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 专有α MOS5 TM技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数,提升电磁干扰(EMI)性能
- 增强型体二极管,具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 采用功率因数校正(PFC)、反激式和 LLC 拓扑的开关电源(SMPS)
- 银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源
- AOT600A60L
- AOTF125A60L
- AOTF12N60L
- AOTF15S65L
- ACT20ME08PC-6149 [V001]
- 892-116-540-201
- APDA1806CGCK
- ACT20ME08PD-6149 [V001]
- ACT20JB02SE-6149 [V001]
- APDA3020SECK/J3-PF
- 892-18-004-10-002101
- ACT20ME26AB [V001]
- APG1005ZGC-5MAV
- 892-18-006-10-002101
- ACT20ME26AD [V001]
- ACT20JB02SN-6149 [V001]
- APHB1608G2R2C-AMT
- ACT20ME26AN [V001]
- 892-18-008-10-004101
- ACT20ME26HD-6149 [V001]
- ACT20JB05AA [V001]