AOWF4N60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- 专有α MOS5 TM技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数，提升电磁干扰（EMI）性能
- 增强型体二极管，具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 采用功率因数校正（PFC）、反激式和 LLC 拓扑的开关电源（SMPS）
- 银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源
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