AOTF12N60L
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF12N60L
- 商品编号
- C5553815
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6484将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
- 绿色产品
应用领域
- 升压转换器
- 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器