71V3577SA80BGGI
71V3577SA80BGGI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V3577SA80BGGI
- 商品编号
- C5539608
- 商品封装
- PBGA-119(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V3577/79是高速SRAM，组织形式为128K x 36/256K x 18。这些SRAM包含写、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（直通架构）。内部逻辑允许SRAM根据决策生成自定时写操作，该决策可以留到写周期结束时做出。突发模式特性为系统设计人员提供了最高水平的性能，因为IDT71V3577/79可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。输出数据的第一个周期将在同一周期时钟上升沿的时钟到数据访问时间延迟后从阵列流出。如果选择突发模式操作（ADV = 低），则后续三个周期的输出数据将在接下来的三个时钟上升沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V3577/79 SRAM采用IDT最新的高性能CMOS工艺，封装在JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄塑料四方扁平封装（TQFP）以及119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）中。
商品特性
- 128K x 36、256K x 18内存配置
- 支持快速访问时间：
- 商用：6.5ns可达133MHz时钟频率（仅TQFP封装）
- 商用和工业用：7.5ns可达117MHz时钟频率；8.0ns可达100MHz时钟频率；8.5ns可达87MHz时钟频率
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 具有全局写控制（GW）、字节写使能（BWE）和字节写（BWx）的自定时写周期
- 3.3V核心电源
- 由ZZ输入控制掉电
- 3.3V I/O
- 可选 - 边界扫描JTAG接口（符合IEEE 1149.1标准）
- 封装在JEDEC标准的100引脚塑料薄四方扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列中