71V67802S166PF
71V67802S166PF
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V67802S166PF
- 商品编号
- C5539712
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT71V67602/7802是高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K x 36/512K x 18。这些SRAM包含写入、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许SRAM根据决策生成自定时写入，该决策可以留到写入周期结束时做出。突发模式功能为系统设计人员提供了最高水平的性能，因为IDT71V67602/7802可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。输出数据的第一个周期将在流水线中延迟一个周期，然后在下一个上升时钟沿可用。如果选择突发模式操作（ADV = 低电平），则后续三个周期的输出数据将在接下来的三个上升时钟沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V67602/7802 SRAM采用IDT最新的高性能CMOS工艺制造，并封装在JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄塑料四方扁平封装（TQFP）以及119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）中。
商品特性
- 256K x 36、512K x 18内存配置
- 支持高系统速度：
- 166MHz 3.5ns时钟访问时间
- 150MHz 3.8ns时钟访问时间
- 133MHz 4.2ns时钟访问时间
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 具有全局写入控制（GW）、字节写入使能（BWE）和字节写入（BWx）的自定时写入周期
- 3.3V核心电源
- 由ZZ输入控制掉电
- 2.5V I/O电源（VDDQ）
- 封装在JEDEC标准的100引脚塑料薄四方扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列中