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71V632ZS5PF实物图
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71V632ZS5PF

71V632ZS5PF

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商品型号
71V632ZS5PF
商品编号
C5539664
商品封装
TQFP-100(14x20)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性自动掉电功能

商品概述

IDT71V632是一款3.3V高速SRAM,组织形式为64K x 32,完全支持奔腾和PowerPC处理器接口。流水线突发架构为高达117MHz的处理器提供了经济高效的3-1-1-1二级缓存性能。该SRAM包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许SRAM根据决策生成自定时写操作,该决策可以留到写周期的最后时刻。突发模式功能为系统设计师提供了最高水平的性能,因为IDT71V632可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址,启动访问序列。输出数据的第一个周期将在一个周期内进行流水线处理,然后在下一个上升时钟沿可用。如果选择突发模式操作(ADV = 低),后续三个周期的输出数据将在下三个上升时钟沿提供给用户。这三个地址的顺序将由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V632 SRAM采用IDT的高性能、大批量3.3V CMOS工艺,并封装在JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄塑料四方扁平封装(TQFP)中,以在台式机和笔记本应用中实现最佳电路板密度。

商品特性

  • 64K x 32内存配置
  • 支持高系统速度:
    • 商用:A4 4.5ns时钟访问时间(117 MHz)
    • 商用和工业用:5 5ns时钟访问时间(100 MHz)
    • 5 6ns时钟访问时间(83 MHz)
    • 5 7ns时钟访问时间(66 MHz)
  • 单周期取消选择功能(与美光部件号MT58LC64K32D7LG - XX兼容)
  • LBO输入选择交错或线性突发模式
  • 具有全局写控制(GW)、字节写使能(BWE)和字节写(BWx)的自定时写周期
  • 由ZZ输入控制掉电
  • 采用单一3.3V电源供电(+10 / -5%)
  • 封装在JEDEC标准的100引脚矩形塑料薄四方扁平封装(TQFP)中

应用领域

  • 台式机
  • 笔记本

数据手册PDF