71V2546S100PF
71V2546S100PF
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V2546S100PF
- 商品编号
- C5539538
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V2546/48是3.3V高速4,718,592位同步静态随机存取存储器。它们旨在消除在读取和写入之间转换总线时的死总线周期,因此被命名为零总线周转。地址和控制信号在一个时钟周期内应用于存储器,两个周期后发生相关的数据周期。该器件包含数据输入/输出、地址和控制信号寄存器。输出使能是的异步信号,可用于在任何时间禁用输出。时钟使能引脚允许根据需要暂停操作。当时钟使能为高电平时,所有同步输入被忽略,内部寄存器保持先前的值。有三个芯片使能引脚,允许用户在需要时取消选择器件。如果当地址/加载为低电平时任一使能未断言,则无法启动新的存储器操作,但挂起的数据传输将完成。数据总线将在芯片取消选择或写入启动后两个周期进入三态。该器件具有片上突发计数器。在突发模式下,可以为单个地址提供四个数据周期。突发序列的顺序由线性/突发顺序输入引脚定义,该引脚在线性和交错突发序列之间选择。地址/加载信号用于加载新外部地址或递增内部突发计数器。该静态随机存取存储器采用高性能互补金属氧化物半导体工艺,并封装在标准100引脚薄型塑料四方扁平封装、119球栅阵列和165细间距球栅阵列中。
商品特性
- 128K x 36、256K x 18存储器配置
- 支持高性能系统速度,达150兆赫兹
- 零总线周转特性,写入和读取周期之间无死周期
- 内部同步输出缓冲使能,无需控制输出使能
- 单个读/写控制引脚
- 正时钟边沿触发的地址、数据和控制信号寄存器,适用于全流水线应用
- 4字突发能力,支持交错或线性模式
- 独立字节写入控制
- 三个芯片使能,用于简单深度扩展
- 3.3伏电源,2.5伏输入/输出电源
- 可选边界扫描接口
- 封装在标准100引脚塑料薄型四方扁平封装、119球栅阵列和165细间距球栅阵列中

