温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DN2625DK6-G
2个N沟道 耐压:250V 电流:1.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN2625DK6-G
- 商品编号
- C612247
- 商品封装
- DFN-8-EP(5x5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@0V,1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.04nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@2.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
优惠活动
购买数量
(490个/托盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个490个/托盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单