- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这是一款采用STripFET™ F3技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为PowerSO-10。
商品特性
- N沟道类型
- 额定电压：75 V
- 典型导通电阻：3 mΩ
- 额定电流：200 A
- 采用STripFET™ F3技术
- 提供不同等级的ECOPACK®封装，以满足环境要求