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STF8NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- 该器件是一款采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。这款革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条状布局相结合，从而实现最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF8NM50N
- 商品编号
- C5456239
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 790mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用