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MS50N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：30V, 50A, RDS(ON) = 9mΩ @ VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB / VGA / Vcore。 POL应用
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS50N03
- 商品编号
- C5449072
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AGM30P10K将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器