2N7002ET1G-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
描述
此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称MSKSEMI(美森科)
商品型号
2N7002ET1G-MS商品编号
C5449077商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,300mA | |
| 功率(Pd) | 350mW |
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6000+￥0.04365￥0.0485￥145.5
24000+￥0.03951￥0.0439￥131.7
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