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T2N7002AK-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- T2N7002AK-MS
- 商品编号
- C5449075
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AGMH035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器