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SIZ260DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:80V 电流:24.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFETs。 100% Rg和UIS测试。 集成MOSFET半桥功率级。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。应用：POL同步降压转换器。 电信DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ260DT-T1-GE3
- 商品编号
- C5440764
- 商品封装
- PAIR
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 集成MOSFET半桥功率级
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
-负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC转换器-谐振转换器-电机驱动控制
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