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NSD1025E-DHMSR
高速、5A 双通道、带使能引脚的低端栅极驱动器
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- 描述
- NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用
- 品牌名称
- NOVOSENSE(纳芯微)
- 商品型号
- NSD1025E-DHMSR
- 商品编号
- C5439828
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.7V | |
| 静态电流(Iq) | 950uA |
商品概述
NSD1025E是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于MOSFET和IGBT。它能够向容性负载提供5A的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，以减少MOSFET开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使NSD1025E适用于高频功率转换器应用。 NSD1025E的输入引脚和使能引脚都能承受 -10V电压，这增强了器件的抗噪性和鲁棒性。驱动器输入与CMOS和TTL逻辑兼容，因此它能轻松与模拟和数字控制器接口。 内部电路提供欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压低于UVLO阈值时将输出保持为低电平。高、低阈值之间较宽的VDD迟滞范围提供了出色的抗噪性。NSD1025E器件提供SOP8和EP - MSOP8封装，工作温度范围为 -40℃至150℃。
商品特性
- 宽电源电压范围：4.5至24V
- 拉/灌驱动电流：±5A（峰值）
- 两个独立的使能引脚用于控制通道输出
- 行业标准引脚排列
- 每个输入引脚能够承受（-10V）的负摆幅
- 通过输出并联提供高驱动电流
- CMOS/TTL兼容逻辑输入
- 5A反向电流特性无需输出保护电路
- 工作温度范围：-40℃至150℃
- 低电源电流
- 短传播延迟：50ns（典型值）
应用领域
- 典型开关电源（太阳能、服务器、电信、工业）
- 电机控制器
- 脉冲变压器驱动器
- DC - DC转换器
- D类开关放大器
- 线路驱动器