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TPCA8128,L1Q(CM
P沟道 30V 34A
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- 描述
- 特性：小尺寸：由于采用紧凑和超薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7mΩ（典型值）。 低泄漏电流：IPSS = -10μA 最大 (VDS = -30V)。 增强模式：Vth = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.5mA)。应用：锂离子电池应用。 电源管理开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPCA8128,L1Q(CM
- 商品编号
- C5379813
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品特性
- 采用紧凑轻薄封装,占用空间小
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7mΩ(典型值)
- 低漏电流:IDSS = -10μA(最大值)(VDS = -30V)
- 增强型模式
应用领域
- 锂离子电池应用
- 电源管理开关应用