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TK160F10N1,LQ
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：ILSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK160F10N1,LQ
- 商品编号
- C5379818
- 商品封装
- TO-220SM
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.96nF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-汽车领域-开关稳压器-DC-DC 转换器-电机驱动器
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