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SSM6J414TU,LF
P沟道MOS（U-MOSVI）
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- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J414TU,LF
- 商品编号
- C5379821
- 商品封装
- SOT-363F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器