温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK10A80E,S4X(S
1个N沟道 耐压:800V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10A80E,S4X(S
- 商品编号
- C5379814
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7Ω(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 640 V)
- 增强型:Vth = 2.5 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-开关稳压器