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NSM2012-30B5R-DSPR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSM2012-30B5R-DSPR

高精度基于霍尔效应的电流传感器IC,具有共模场抑制和高隔离度

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商品型号
NSM2012-30B5R-DSPR
商品编号
C5375600
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.182441克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电流传感器
属性参数值
功能特性双向检测

商品概述

NSM2012是一款集成式路径电流传感器,其导通电阻极低,仅为1.2mΩ,有效降低了芯片上的热量损耗。该产品采用创新的隔离技术与信号调理设计,在检测流经内部汇流排电流的同时,能够满足高隔离等级要求。其内部采用差分霍尔对,因此对外部杂散磁场具有很强的抗干扰能力。NSM2012支持比例输出与固定输出两种模式。固定输出模式使客户能够通过对VREF和VOUT电压进行ADC差分采样,以降低外部共模干扰(如温度等)的影响。与采用分流电阻加隔离运放的电流采样方案相比,NSM2012无需原边电源,布局简单便捷,同时具备极高的隔离耐压与全生命周期稳定性。在高边电流监测应用中,NSM2012的工作电压可达600Vpk,并且无需添加任何保护器件即可承受6kV的浪涌电压。得益于其内部精确的温度补偿算法与出厂精度校准,该电流传感器能在全温度工作范围内保持良好的精度,客户无需进行二次编程或校准。支持3.3V/5V供电(不同版本)。

商品特性

  • 高带宽与快速响应时间:400kHz带宽,1.5us响应时间
  • 高精度电流测量:差分霍尔对可抑制杂散磁场干扰
  • 高隔离等级,满足UL标准:隔离耐压3000Vrms,最大浪涌隔离耐压6kV
  • 高共模瞬态抑制比:CMTI >100V/ns
  • 爬电距离/电气间隙:4mm
  • 创新的技术使失调电压温漂极小
  • 支持比例输出或固定输出
  • 工作温度范围:-40℃ ~ 125℃
  • 原边内阻:1.2mΩ
  • SOIC8封装
  • 通过UL62368/EN62368安全认证
  • 符合ROHS标准

应用领域

  • 太阳能系统
  • 工业电源
  • 电机控制
  • 充电桩

数据手册PDF