NSM2012-30B5R-DSPR
高精度基于霍尔效应的电流传感器IC,具有共模场抑制和高隔离度
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- 品牌名称
- NOVOSENSE(纳芯微)
- 商品型号
- NSM2012-30B5R-DSPR
- 商品编号
- C5375600
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182441克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电流传感器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 双向检测 |
商品概述
NSM2012是一款集成式路径电流传感器,其导通电阻极低,仅为1.2mΩ,有效降低了芯片上的热量损耗。该产品采用创新的隔离技术与信号调理设计,在检测流经内部汇流排电流的同时,能够满足高隔离等级要求。其内部采用差分霍尔对,因此对外部杂散磁场具有很强的抗干扰能力。NSM2012支持比例输出与固定输出两种模式。固定输出模式使客户能够通过对VREF和VOUT电压进行ADC差分采样,以降低外部共模干扰(如温度等)的影响。与采用分流电阻加隔离运放的电流采样方案相比,NSM2012无需原边电源,布局简单便捷,同时具备极高的隔离耐压与全生命周期稳定性。在高边电流监测应用中,NSM2012的工作电压可达600Vpk,并且无需添加任何保护器件即可承受6kV的浪涌电压。得益于其内部精确的温度补偿算法与出厂精度校准,该电流传感器能在全温度工作范围内保持良好的精度,客户无需进行二次编程或校准。支持3.3V/5V供电(不同版本)。
商品特性
- 高带宽与快速响应时间:400kHz带宽,1.5us响应时间
- 高精度电流测量:差分霍尔对可抑制杂散磁场干扰
- 高隔离等级,满足UL标准:隔离耐压3000Vrms,最大浪涌隔离耐压6kV
- 高共模瞬态抑制比:CMTI >100V/ns
- 爬电距离/电气间隙:4mm
- 创新的技术使失调电压温漂极小
- 支持比例输出或固定输出
- 工作温度范围:-40℃ ~ 125℃
- 原边内阻:1.2mΩ
- SOIC8封装
- 通过UL62368/EN62368安全认证
- 符合ROHS标准
应用领域
- 太阳能系统
- 工业电源
- 电机控制
- 充电桩
- UJA1169TK/F
- ECS-327MVATX-2-CN-TR3
- KLDHCX-0202-AC-1
- XRCGB25M000F2P02R0
- JXD0-0001NL
- APDA3020LZGCK
- TLX9160T(TPL,F
- AP2112R5A-3.3TRG1
- PJE8439_R1_00001
- SDCHA1V8040-1R5-R
- 4816P-T02-221LF
- FM4004-W
- LCMXO2-7000HC-5TG144C
- SSM-124-L-SV-LC
- FFC2B28-08-G
- 504050-1091
- XU316-1024-QF60A-C24
- LP5891ZXLR
- TPR432B-S3TR
- TPC6240-QFER-S
- B1811NG--05D001013U1930


