- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TNM3K50WX
N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM3K50WX
- 商品编号
- C5364045
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- V_DS = 50 V，I_D = 0.3 A
- R_DS(ON) < 3.5Ω（在V_GS = 4.5V时）
- R_DS(ON) < 2.5Ω（在V_GS = 10V时）
- 高功率和电流处理能力
- 无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、指示灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器