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TDNM1230UX
耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- TDNM1230UX是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。TDNM1230UX符合RoHS标准及绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并获得了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TDNM1230UX
- 商品编号
- C5364049
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 10A
- 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 12mΩ(栅源电压(VGS) = 10V)
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器