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IXTP10P50P
1个P沟道 耐压:500V 电流:10A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。快速本征二极管。动态dV/dt额定。雪崩额定。坚固的PolarPTM工艺。低QG和Rds(on)特性。应用：高端开关。推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP10P50P
- 商品编号
- C5359029
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET第二代功率MOSFET
- 使用顶部散热的PolarPAK封装实现超低热阻和双面散热
- 基于引线框架的新型封装
- 芯片未外露
- 无论芯片尺寸如何，布局相同
- 低Qgd/Qgs比有助于防止直通
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电压调节模块（VRM）
- 直流-直流转换：低端
- 同步整流
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