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T2N7002BK,LM
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@VGS = 10 V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@VGS = 5.0 V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@VGS = 4.5 V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- T2N7002BK,LM
- 商品编号
- C5358468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 390pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF |
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