MDD15N10D
停产 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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描述
应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD15N10D商品编号
C5357577商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@50V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.07nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
优惠活动
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