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MDD15N10D
停产 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD15N10D
- 商品编号
- C5357577
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
ESN4838是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4838为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 7.5mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 12.0mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换