PJQ4441P_R2_00001
1个P沟道 耐压:40V 电流:8.5A 电流:44A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4441P_R2_00001
- 商品编号
- C5357784
- 商品封装
- DFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 - 10 V、漏极电流(ID)为 - 10 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 17 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 - 4.5 V、漏极电流(ID)为 - 8 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 25 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑料
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