MDD50N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD50N03D
- 商品编号
- C5357578
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；8.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 201pF |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
- 无卤
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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